模拟电子技术基础(第四版)答案
- 文件介绍:
- 该文件为 doc 格式,下载需要 10 积分
- 第1 半导体基础知识
自测题
一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×
二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C
三、UO1≈1.3V UO2=0 UO3≈-1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈-2V
四、UO1=6V UO2=5V
五、根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。
六、1、
UO=UCE=2V。
2、临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以
七、T1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。
习题
1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A
1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 ui和uo的波形如图所示。
1.4 ui和uo的波形如图...